CV/IV-Messsysteme
Schichten elektrisch charakterisieren
Quecksilberkontakt CV- und IV-Messgeräte von Polytec erschließen Ihnen ein breites Spektrum der elektrischen Charakterisierung unterschiedlichster Schichten, wie Oxide, Dielektrika, Schichten auf leitenden und isolierenden Substraten oder von SOI-Wafern. Das besondere Messkopfkonzept bietet Ihnen eine wiederholbare und präzise definierte Kontaktflächengröße, kombiniert mit herausragender Sicherheit und Sauberkeit im Umgang mit dem Kontaktmaterial Quecksilber. Abhängig von der Anwendung können Sie unterschiedlichste Kontaktgeometrien realisieren.
Die Vielzahl möglicher Messmethoden ermöglicht Ihnen einen weiten Bereich der Probencharakterisierung, z. B.:
- Oxid-Integrität und -Qualität überwachen
- Dotierprofile erstellen
- Ladungsträger-Lebensdauer messen
- Widerstände von quasi-isolierenden Materialien bestimmen
- SOI Strukturen charakterisieren
- Ferroelektrischer Materialien untersuchen
- Poly-Silizium charakterisieren
Rechteck-Pulse kommen zur Messung der quasistatischen-, als auch HF-Kapazität zur Anwendung. Die Vorteile liegen unter anderem in der Unempfindlichkeit gegenüber dem Reihenwiderstand.
Anschlüsse für vorhandene externe HF-Sinusquellen erhöhen die Flexibilität im Einsatz.
Manueller Messplatz
Modell CV92M
Manueller Messplatz mit dem bewährt sicheren und reproduzierbaren Quecksilberkontakt.
Der Messplatz dient zum Kontakt mit der Probe und stellt die notwendigen Anschlüsse für den Betrieb mit vorhandenen CV und IV Messgeräten bereit.
Mapping bis 8 Zoll
Modell CVmap92A/B
Mappende Systeme mit dem bewährten sicherem Quecksilberhandling für Wafer bis 200 mm Durchmesser. Neben der herkömmlichen hochfrequenten Messung mit Sinussignalen stehen Ihnen hier auch Rechteck- und Deep-Pulse Messmethoden zur Verfügung.
Mapping bis 12 Zoll
Modell CVmap3092A/B
Die Modelle, geeignet für 300 mm Wafer, können optional mit vollautomatischem "Cassette to Cassette"-Waferhandling ausgestattet werden.