Effizientes Testen von MEMS auf Wafer-Ebene
Um die Produktionskosten für MEMS bei gleichzeitig hoher Ausbeute und Qualität niedrig zu halten, bewährt sich immer mehr die Prüfung auf Wafer-Level bereits vor dem Vereinzeln der Chips. Standard dabei sind elektrische Testverfahren, bestimmte Aufgaben erfordern allerdings eine direkte, zumeist optische Messung der mechanischen Funktion.
Die Polytec Messtechnik können Sie hierfür problemlos in nahezu alle kommerziell erhältlichen Wafer-Prober integrieren. Die Kombination aus (halb-)automatischer Probe Station mit einem mikroskopbasierten Scanning-Laservibrometer wie dem Polytec Micro System Analyzer ermöglicht Ihnen eine rationelle und schnelle Messung des dynamischen Verhaltens von MEMS direkt auf dem Wafer. So erzielen Sie einen hohen Durchsatz und haben ein wichtiges Werkzeug, um den Produktionsprozess zu überwachen.
Homogenität über den Wafer (rechts)
Time-Domain beim Schaltverhalten von RF-Switches
Die monolithische Integration von RF-MEMS in einer SiGe-BiCMOS-Technologie ermöglicht die Entwicklung kostengünstiger und hochintegrierter Schaltkreise für zukünftige Radar- und Imaging-Systeme. Durch den Einsatz von Laser-DopplerVibrometrie (LDV) und Weißlichtinterferometrie (WLI) wurden RF-MEMS-Schalter mit ausgezeichneter Performance und Zuverlässigkeit entwickelt.